中頻率和高頻都需要變頻設(shè)備，而中頻率和高頻波段范圍與變額設(shè)備的原理和結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。

根據(jù)原理的不同，可以分為兩類：增頻發(fā)電機(jī)(又稱中頻發(fā)電機(jī))和可控硅變頻設(shè)備。離子管型發(fā)生裝置(0.5~3kHz)在我回廠沒有得到應(yīng)用。

普通無本質(zhì)醫(yī)圳的中頻發(fā)電機(jī)，按發(fā)電機(jī)原理只要增加發(fā)電機(jī)磁極數(shù)和轉(zhuǎn)速，即可融為一體，使共頻率得到提高。當(dāng)前，我國中頻發(fā)電機(jī)的功率比在500~8000赫茲之間。每個(gè)發(fā)電機(jī)組只有一個(gè)頻率，并且固定不變。因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)上的原因低于500赫茲需要特殊訂購。國內(nèi)目前生產(chǎn)的中額發(fā)電機(jī)功率為50~600kW，已經(jīng)形成了系列產(chǎn)品。如電源不足，可采用同規(guī)格的中額發(fā)電機(jī)并聯(lián)或多臺并聯(lián)電源。

自1966年瑞士首次研制成功可控硅中頻逆變設(shè)備以來，隨著晶閘管技術(shù)的發(fā)展，晶閘管技術(shù)在70年代得到了快速發(fā)展。在國內(nèi)，人們對1969年上海滬東船廠研制的第60千瓦1000赫茲的可控硅中頻加熱設(shè)備在彎管時(shí)的加熱問題十分關(guān)注和關(guān)注�，F(xiàn)在已經(jīng)有相當(dāng)多的工廠生產(chǎn)這類產(chǎn)品，t%供應(yīng)生產(chǎn)單位使用。

感應(yīng)加熱電源-IGBT逆變電源控制模塊

全自動高頻機(jī)-DSP控制FPGA+IGBT高精度位置追蹤

中山高頻加熱機(jī)-原裝IGBT輸出功率控制模塊

感應(yīng)淬火機(jī)-進(jìn)口IGBT模塊

小型高頻加熱機(jī)-IGBT+MOSFET元器件變頻